扩散三氯氧磷的使用方法-三氯氧磷常用作半导体掺杂剂及光导纤维原料

三氯氧磷 3

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谁能告诉下太阳能电池制造中扩散的原理及工艺过程,最好把工艺的原理及...

扩散的原理:太阳能电池一般选用的是P型掺杂的单晶硅片或者是多晶硅片,我们就需要通过扩散在上面形成一个N型的扩散层,从而形成PN结。现在一般***用的都是磷扩散。扩散源是三氯氧磷(pocl3),在900℃的高温下,它与硅片反应,生成二氧化硅和磷。

在切割过程中,硅片会产生表面缺陷,影响表面质量和电池制造过程中的碎片率。因此,需通过碱或酸腐蚀去除切割损伤层,腐蚀厚度约为10微米。 制绒:制绒是通过酸或碱腐蚀使硅片表面变得粗糙,形成漫反射,减少直接照射到硅片表面的阳光损失。

扩散三氯氧磷的使用方法-三氯氧磷常用作半导体掺杂剂及光导纤维原料
(图片来源网络,侵删)

联接之后,脆弱的太阳能电池就需要加上适当的保护层以承受外部的机械应力,气候条件的变化和湿度等。因此人们首先在联接端嵌入透明的粘接材料粘贴,同时也进行绝缘。然后把电池串片夹在前面和背面两层薄片中。前面是对光线敏感面,材料必须是透明的,一般使用超白绒面玻璃,诸如高透光率的太阳玻璃。

太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。以光电效应工作的晶硅太阳能电池为主流,而以光化学效应工作的薄膜电池实施太阳能电池则还处于萌芽阶段。

晶体硅太阳能电池的制造工艺流程如图2。提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。 具体的制造工艺技术说明如下: (1) 切片:***用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。 (2) 清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。

扩散三氯氧磷的使用方法-三氯氧磷常用作半导体掺杂剂及光导纤维原料
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合理的封装工艺员工严谨的工作作风;由于太阳电池属于高科技产品,生产过程中一些细节问题,一些不起眼问题如应该戴手套而不戴、应该均匀的涂刷试剂而潦草完事等都是影响产品质量的大敌,所以除了制定合理的制作工艺外,员工的认真和严谨是非常重要的。

请教:太阳能电池片扩散工艺中,会用到二氯乙烯吗?如果用,具体用途是什么...

扩散工艺的目的是形成晶体硅太阳电池的心脏PN结,目前主要扩散方法是应用三氯氧磷液态源扩散。工艺过程中需要在P型硅片中掺杂磷元素,液态源一般是POCl3,POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高,方块电阻结均匀等优点。

用途:聚氯乙烯异型材 型材、异型材是我国PVC消费量最大的领域,约占PVC总消费量的25%左右,主要用于制作门窗和节能材料,其应用量在全国范围内仍有较大幅度增长。在发达国家,塑料门窗的市场占有率也是高居首位,如德国为50%,法国为56%,美国为45%。

含铅盐的聚氯乙烯用作食品包装与油条、炸糕、炸鱼、熟肉类制品、蛋糕点心类食品相遇,就会使铅分子扩散到油脂中去,所以不能使用聚氯乙烯塑料袋盛装食品,尤其不能盛装含油类的食品。

有,PVC是聚氯乙烯的简称。聚氯乙烯也是经常使用的一种塑料,它是由聚氯乙烯树脂、增塑剂和防老剂组成的树脂,本身并无毒性。但所添加的增塑剂、防老剂等主要辅料有毒性。

对亲油性物质的溶解力比乙醇强,可以作为硝基纤维素、橡胶、涂料、虫胶、生物碱等的溶剂。可用于生产涂料、油墨、萃取剂、气溶胶剂等。还可用作防冻剂、清洁剂、调和汽油的添加剂、颜料生产的分散剂、印染工业的固定剂、玻璃和透明塑料的防雾剂等。用作胶黏剂的稀释剂,还用于防冻剂、脱水剂等。

单晶p型硅片扩散的目的

形成PN结。扩散目的:对P型硅片表面进行N型掺杂, 形成PN结, ***用三氯氧磷气体携带源的方式引入扩散炉, 最终将反应生成的磷在高温条件下扩散进入硅片表层,形成N型杂质层。

扩散的目的:太阳能电池的基本就够就是一个PN结,而扩散就是为了形成PN结。扩散的原理:太阳能电池一般选用的是P型掺杂的单晶硅片或者是多晶硅片,我们就需要通过扩散在上面形成一个N型的扩散层,从而形成PN结。现在一般***用的都是磷扩散。

扩散工序:将硅片放入高温扩散炉中,通以氮气和POCL3 等气体,在高温下分解后在硅片表面形成P-N 结。扩散制结(p-n结)的目的:在P型硅表面,通过扩散P原子构成p-n结。PN结的形成才使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样就形成了电流,用导线将电流引出,就是直流电。

扩散工艺的目的是形成晶体硅太阳电池的心脏PN结,目前主要扩散方法是应用三氯氧磷液态源扩散。工艺过程中需要在P型硅片中掺杂磷元素,液态源一般是POCl3,POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高,方块电阻结均匀等优点。

扩散的目的在于形成PN结。普遍***用磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度,因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要,要求硅片在制绒后要进行清洗,即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。 边缘刻蚀、清洗:扩散过程中,在硅片的周边表面也形成了扩散层。

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