五氯化氢硅-氯化硅溶液
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多晶硅生产工艺流程
下面来了解下晶圆制造工艺流程。晶圆是什么材料做的晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。晶圆原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。如今国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。
原料准备：单晶硅生产的第一步是从硅的原料出发，这些原料主要存在于自然界的硅酸盐或二氧化硅中，例如石英和硅砂。通过与碳在高温下反应，这些原料转化为粗硅。由于粗硅中含有大量的杂质，必须经过进一步的提纯处理。多晶硅制备：提纯后的硅可以通过化学气相沉积（CVD）等方法转化为多晶硅。
单晶硅的制作工艺流程如下： 原料准备：首先将含有硅的石头加热至液态，再将其转化为气态。气体通过一个密封的大型箱子，其中充满了加热的多晶硅子晶。子晶在这个过程中将气体中的硅吸附到自身上，逐渐生长成粗细不一的原生多晶硅。这个过程大约需要一个月的时间。
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。具体介绍如下： 硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）→工业硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（经过粗馏精馏）→高纯SiHCL3（和H2反应CVD工艺）→高纯多晶硅 国内的多晶硅单价主要看纯度，纯度在9个9的很少，价格应该在2500以上了！详细价格不定， 单晶硅生产工艺主要有两种，一种是直拉法，一种是区熔法。
金属硅冶炼属于高耗能生产，我国的金属硅生产已由来已久，随着国家能源政策的收紧和节能减排的开展，以及对新能源的提倡，金属硅冶炼已经成为初级的产品和工艺，很多国内新兴的能源企业建设了金属硅，多晶硅，单晶硅，太阳能电池等一系列的循环产业链条，未来几年势必会影响我国整个能源领域的发展和新能源的应用。
三氯氢硅能腐蚀石墨吗
1、直接生成太阳能级多晶硅。2）气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅 据资料报导以日本Tokuyama公司为代表，目前10吨试验线在运行，200吨半商业化规模生产线在2005-2006年间投入试运行。
2、在氢化铝锂、氢化硼锂存在条件下，SiHCl3可被还原为硅烷。容器中的液态SiHCl3当容器受到强烈撞击时会着火。可溶解于苯、醚等。无水状态下三氯硅烷对铁和不锈钢不腐蚀，但是在有水分存在时腐蚀大部分金属。在高温条件下，三氯氢硅能被氢气还原生成硅 SiHCl3 +H2==1357K=Si +3HCl。
3、毒性 小鼠-吸入LC50：5～2mg/L 最高容许浓度：1mg/m3 三氯硅烷的蒸气和液体都能对眼睛和皮肤引起灼伤，吸入后***呼吸道粘膜引起各种症状（参见四氯化硅）。三氯硅烷在常温常压下为具有***性恶臭易流动易挥发的无色透明液体。
4、在这个过程中，如果回收工艺不成熟，三氯氢硅、四氯化硅、氯化氢、氯气等有害物质极有可能外溢，存在重大的安全和污染隐患。
粗硅与干燥hcl气体反应制得sihcl3
粗硅和氯化氢气体在高温下反应生成氢气和三氯氢硅：si+3Hcl=siHcl3+H2 （两边都有气体不用加气体符号）14号元素硅分布极广 反应解释： 该反应是工业制高纯硅的一个中间反应，其中粗硅反应生成了三氯氢硅和其他的硅的取代物（例如siH2clsiH3cl等）。
制取纯硅的三个方程式
1、工业制取粗硅的化学方程式是工业上用二氧化硅和碳高温反应生成粗硅和一氧化碳 sio2+2c=si+co↑（反应条件是高温）这里sio2是氧化剂，c是还原剂。
2、工业上，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。化学反应方程式：SiO2 + 2C → Si + 2CO 这样制得的硅纯度为***~98%，叫做金属硅。再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为***~98%的金属硅。
3、高温，焦炭还原石英砂中的二氧化硅：SiO2+2C=（高温）Si+2CO，此时制得的硅，含有杂质，叫粗硅，还要进行精制，Si+2Cl2=SiCl4 SiCl4+2H2=Si+4HCl，这样就可以得到较纯的硅。
氯氢硅的主要水解产物
跟我们熟知的盐类的水解一样，水解都是水中氢离子或氢氧根被电解质电离出的阴阳离子结合，促进了水的电离平衡的过程。影响因素主要有三点，电荷和半径、电子层结构、空轨道。我只说说像NClNFBClBFPClCClSiCl4这类。
三氯氢硅（SiHCl3）在与水反应时，通常不会产生氢气。 然而，在碱性水溶液中，三氯氢硅可以与水反应，释放出氢气。 反应式为：SiHCl3 + 3H2O → （HSiO）2O + 6HCl。 在碱性环境中，进一步反应会产生更多的氢气：SiHCl3 + 3NaOH + H2O → Si（OH）4 + 3NaCl + H2。
化学方程式为：SiHCl + 2HO =SiO + 3HCl + H。SiHCl在与水的反应过程中，同时释放出大量的热并产生H，当大量的SiHCl与水在空气中反应时会剧烈燃烧，甚至有爆炸的危险，除SiHCl3自身的反应外，主要是引起了H的二次反应。
可生成盐酸和硅酸。盐酸：是氯化氢的水溶液，属于一元无机强酸，工业用途广泛，盐酸的性状为无色透明的液体，有强烈的刺鼻气味，具有较高的腐蚀性，浓盐酸具有极强的挥发性，因此盛有浓盐酸的容器打开后氯化氢气体会挥发，与空气中的水蒸气结合产生盐酸小液滴，使瓶口上方出现酸雾。
受热时引起猛烈的爆炸。它的热稳定性比二氯硅烷好，在900℃时分解产生氯化物有毒烟雾（三氯氢硅HCl），还生成Cl2和Si。
四氯化硅的沸点比SiH3Cl较低,为什么?
1、四氯化碳高。四氯化碳是一种有机化合物，化学式CCl4。是一种无色有毒液体，能溶解脂肪、油漆等多种物质，易挥发液体，具氯仿的微甜气味。分子量1584，在常温常压下密度595g/cm3（20℃），沸点78℃，蒸气压126kPa（25℃），蒸气密度3g/L，标准状况下是液态。
2、四氯化硅的性质 外观与性状：无色或淡***发烟液体，有***性气味，易潮解。熔点（℃）：-70。相对密度（水=1）：48。沸点（℃）：56。相对蒸气密度（空气=1）：86。高纯四氯化硅为无色透明液体，纯度稍低的呈现微黄或者淡***，有窒息性气味。
3、四氯化碳分子之间有类似于氢键的结构，俗称“氯键”，而四氯化硅分子间没有，总之，是结构决定了性质。
4、并且八电子构型的阳离子极化能力最弱。阳离子可分为8 18+2 2 9—17 18电子构型。极化能力越强熔沸点越高。这也可以解释四氯化锗沸点和四氯化锡沸点。熔沸点和杂化轨道有一定的关系但大多只和离域π键有关，而且四氯化碳四氯化硅都是sp3杂化。所以这道题不能用杂化轨道解释。
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