三氯氧磷制备装置图解法-三氯氧磷制备装置图解法图片

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文章信息一览：

• 1、加入三氯氧磷温度升高
• 2、分离提纯三氯氧磷的方法
• 3、三氯氧磷沸点
• 4、三氯氧磷的制备方法
• 5、三氯氧磷到磷进入硅内形成掺杂发生的过程?问答题,急用

加入三氯氧磷温度升高

1、储存于阴凉、干燥、通风良好的库房。远离火种、热源。库温不超过25℃，相对湿度不超过75%。包装必须密封，切勿受潮。应与还原剂、活性金属粉末、醇类等分开存放，切忌混储。储区应备有泄漏应急处理设备和合适的收容材料。

2、反应是由葡萄糖和氢醌在乙酰基保护后，进行糖苷化反应，而后脱保护而得，根据反应所用的催化剂不同可以分为两种方法，第一种合成方法所用催化剂是三氟化硼乙醚，因此称为三氟化硼乙醚催化合成法；第二种合成方法所用催化剂是三氯氧磷，因此称为三氯氧磷催化合成法。

3、国内最常用的交联剂有：三偏磷酸钠、三聚磷酸钠、甲醛、三氯氧磷、环氧氯丙烷。酸变性粉 酸变性淀粉引是指在糊化温度以下将天然淀粉用无机酸进行处理，改变其性质而得到的一类变性淀粉。

4、三氯氧磷作为N型硅掺杂剂的工艺 描述 ***（POCl 3）是一种用于n型区到硅衬底上扩散液磷源。掺杂浓度可以控制以提供接近使用双极器件或轻掺杂区的固溶度水平MOS器件。掺杂材料可以用来形成双极器件的发射区，源/漏和掺杂的多晶硅MOS器件结构中的应用。

5、于反应瓶中加入粗品2（0g，0.0067mol）、乙酸乙酯（10ml），于50~60℃，滴加三氯氧磷（2g，0.0082mol）的乙酸乙酯溶液， 5h后，冷却至室温，加乙酸乙酯（50ml），以水（50ml）洗涤，蒸干得粗品1（0.93，93%），用无水乙醇重结晶得白色结晶1（0.75g， 80.6%），mp166~168℃。优缺点：产品收率比较高，但操作比较繁琐。

分离提纯三氯氧磷的方法

1、加0.1-5％质量分数有机物（吡啶类）。根据查询三氯氧磷相关资料显示，三氯氧磷提纯添加0.1-5％质量分数有机物（吡啶类）。三氯氧磷又名磷酰氯（chosphoryl chloride）。为无色发烟液体。

2、我推荐用惰性一些的硅胶。它的沸点是103℃，置于潮湿空气中即水解生成磷酸和氯化氢，发生白烟，遇水和乙醇分解并放出大量热和氯化氢，对眼睛有***。毒性很大，所以不提倡蒸馏提纯。更详细的信息还希望您查找相关的分析化学手册。

3、sungun78（站内联系TA）三氯氧磷，五氯化磷，或者五氯化磷与三氯氧磷混合，加热回流试试wujing1029（站内联系TA）soCl2 Pcl3 POCl3都可以，POCl3还可使酚羟基氯代xuxuan（站内联系TA）还可以先让羟基反应变成磺酸酯，再卤代。这个反应虽然要经过两步反应，但有时候，产率还是不错的。

4、常用的适合工业化生产的氯化亚砜的合成方法有三种：⑴三氧化硫法：五氯化磷与三氧化硫反应，生成氯化亚砜和三氯氧磷，该路线工艺简单，但因氯化亚砜和三氯氧磷分离难度大，产品不容易提纯。⑵氯磺酸法：以氯化锑等为催化剂，使一氯化硫和氯气、氯磺酸反应，该法工艺复杂，技术落后，物耗大，污染严重。

5、三氯氧磷和异丁醇反应后含有氢氯酸。根据查询相关资料可知，三氯氧磷和异丁醇会发生酯化反应，生成氯化氢，氯化氢由氢氯元素组成，与水溶液接触呈酸性，生成氢氯酸。三氯氧磷和异丁醇反应酯化结束后进行水洗中和，将中和后的物料进行蒸醇得到粗酯，粗酯水洗后，精馏提纯可得到磷酸三异丁酣。

三氯氧磷沸点

三氯氧磷沸点是七十六摄氏度。三氯氧磷，是一种无机化合物，为无色透明液体，主要用于医药，合成染料及塑料的生产。三氯氧磷用于制取磷酸二苯一异辛酯、磷酸三乙酯等磷酸酯，塑料增塑剂，有机磷农药，长效磺胺药物等。还可用作染料中间体，有机合成的氯化剂和催化剂、阻燃剂。

您好：三氯氧磷，性状：无色透明发烟液体，有辛辣气味。

无色透明液体。具有***性臭味。在潮湿空气中剧烈发烟。分子式Cl3-O-P。分子量 1535。相对密度 67。熔点25℃。沸点 101℃。在水、乙醇中分解形成磷酸及氯化氢。大量水骤然倒入时，可发生剧烈反应。侵入途径 经呼吸道及皮肤侵入。毒理学简介 毒性与三氯化磷、 五氯化磷及光气相似。

三氯氧磷的制备方法

1、将干燥的氯气通入磷和三氯化磷的混合溶液中，再经蒸馏精制而成。

2、加入三氯氧磷温度升高。根据查询相关资料信息，使用微反应技术制备三氯氧磷，可以实现三氯化磷和氧气的瞬间混合和高效的传质传热，并将反应温度、压力精确控制在所需要的范围内。

3、以三氯氧磷和乙醇为原料，两步酯化法合成 将100mL（07mol）三氯氧磷投入装有搅拌器的250mL四口烧瓶中，用冰盐水冷却至低于15℃然后在真空下滴加92mL（60mol）乙醇。

三氯氧磷到磷进入硅内形成掺杂发生的过程?问答题,急用

1、***（POCl 3）氧化在正常工艺温度与氧形成P 2 0 5。这种材料是由硅暴露在晶片表面形成元素反应降低磷和硅。在这一点上的磷扩散到硅的速度通过对加热炉温度的确定。扩散深度或结深，（XJ），发现用在炉内温度的材料的扩散系数。

2、扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。

3、扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。

4、太阳能电池生产必须去除磷硅玻璃，原因如下：由于阳能电池片生产制造过程中的扩散过程中，即使***用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。

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