硅与氯化氢反应方程式-硅与氯化氢反应方程式为什么不用气体符号

文章信息一览：

• 1、硅和HCl反应生成什么,求化学方程式
• 2、硅与盐酸反应生成三氯甲硅烷的化学方程式
• 3、写出从粗硅到SiHCL3(粗)的反应的化学方程式:
• 4、粗硅与HCI反应方程式
• 5、由粗硅制高纯Si:①___②__

硅和HCl反应生成什么,求化学方程式

硅和氯气反应的化学方程式通常是这样的，也就是硅加上氯气等于四氯化硅，就是这样的过程了。

用焦炭与石英砂（SiO2）混合高温，产生粗硅。（SiO2+2C=高温=Si+2CO↑）将粗硅与氯气高温，生成四氯化硅。（Si+2Cl2=高温=SiCl4）将氢气与四氯化硅高温，生成单晶硅。

①写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式：SiHCl3+H2==（1357K）== Si+3HCl ②SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiOHCl和另一种物质，写出配平的化学反应方程式3SiHCl3+3H2O===H2SiO3+H2↑+3HCl；H2还原SiHCl3过程中若混入O2，可能引起的后果是：高温下，H2遇O2发生爆炸。

化学方程式如下：Si + 4HCl → SiCl4 + 2H2 （高温）SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl （高温）请先检查上述过程。

硅是制作电子集成电路的基础材料，一个电脑芯片上集成10亿个晶体管，其功能远比我们想象的要大得多。这对硅的纯度要求很高，用化学方法可制得高纯度硅。其化学方程式为：SiO2 + 2C → Si + 2CO↑ 2Si + 2Cl2 → SiCl4 SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl 反应①和③属于置换反应。

SiCl4（g）+2H2（g）加起来才 3份的气体~~~而生成气体HCL 是 4份气体 当压强增加的时候，相当与减少了容器的体积，反应当然向气体减少的方向移动~~所以就是 由 4份气体向 3份气体移动，就是逆方向移动。

硅与盐酸反应生成三氯甲硅烷的化学方程式

SiHcl3+H2=Si+3HCl （高温条件下）HCL再和粗Si在300度的条件下生成三氯甲硅烷和氢气。该反应是一可逆反应。反应达到一定平衡后就会达到动态平衡。制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）还原法，即通过上面化学得到单质硅是当前制备高纯硅的主要方法。

化学式 SiHCl3 分子量 136 贮存 在干燥、阴凉、通风处 注意 着火后严禁用水灭火 三氯化硅化学方程式：SiHCl3 主要反应：Si+3HCl→SiHCl3+H2 放出50.0kcal/mol的热量。Si+4HCl→SiCl4+H2 放出56kcal/mol的热量。除了四氯化硅外还会生成二氯二氢硅。

SiHCl3 + 3H2O =H2SiO3 + 3HCl + H2↑。反应非常剧烈。

而石英管的温度可以达到1200摄氏度。如果将三氯甲硅烷和氢气放入石英管中反应，石英管的温度很可能会超过三氯甲硅烷的燃点，从而导致爆炸。此外，石英管可能会对三氯甲硅烷和氢气的反应产生不利的影响，使反应变得不稳定。因此，为了安全起见，通常不会在石英管中进行三氯甲硅烷和氢气的反应。

不能一步用SiO2制SiCl4。制备过程：第一步：SiO2+2C=高温=Si+2CO 第二步：Si+2Cl2=高温=SiCl4（l）注：上述两个反应就是制精硅的化学原理。

写出从粗硅到SiHCL3(粗)的反应的化学方程式:

第一种。SiO2 + 2C = Si + 2CO↑ Si + 2Cl2 = SiCl4 SiCl4 + 2H2 = Si +HCl 条件都是高温 第二种.将细砂粉（SIO2）与镁粉混和，制得粗硅。这种粗硅往往含有过量的镁氧化镁和硅化镁，可用盐酸除去。

号元素硅分布极广 反应解释： 该反应是工业制高纯硅的一个中间反应，其中粗硅反应生成了三氯氢硅和其他的硅的取代物（例如siH2clsiH3cl等）。硅与Hcl不可能得到纯的siHcl3的，肯定会有各种硅的氯代化物，因此想得到只能用除杂的方法（蒸馏）。

制备高纯硅需要粗硅、HCl和氢气，分别由石英、天燃气和食盐制得 化学反应方程式如下：食盐制备HCl：NaCl+H2SO4=NaHSO4+HCl 天燃气制备H2：CH4+CO2=2H2+2CO 石英制备粗硅：SiO2+2C=Si+2CO Si+3HCl=SiHCl3+H2 SiHCl3+H2=Si+3HCl 得到高纯硅。

这个就是以石英砂（SIO2）和C为原料在矿热炉（其中一个装置就是电炉）中炼制粗硅：SiO2+2C=Si（粗硅）+2CO 炉料的配置一般为石英砂100公斤，碳质还原剂（可以为石油焦、木炭）30~50公斤。矿热炉中的温度能达到1800℃。

粗硅与HCI反应方程式

SI+HCL=SICL4+H2 这个一定行。

D： 这时有粗硅制精硅的反应原理， 1，2 中的Si不是一样的硅，性质不一样，Si也不是催化剂。

不在水溶液中反应的离子反应，不能书写离子方程式。如铜与浓H2SO4的反应，浓H2SO4与相应固体物质取HCI、HF、HNO3的反应，以及Ca（OH）2与NH4Cl制取NH3的反应。碱性氧化物虽然是强电解质，但它只能用化学方程式写在离子方程式中。

构成的是三氯硅烷SiHCl3。Si和C在元素周期表中同位于第四主族的相邻元素，所以，Si的四价与C一样，三氯硅烷的组成和结构类似于三氯甲烷。

规律：离子方程式书写正误判断 判断正误的一般规律与方法思路是： 看是否符合客观事实。如Fe跟H2SO4反应写成2Fe+6H+ 2Fe3++3H2↑是错误的。 看是否漏掉离子。如H2SO4与Ba（OH）2溶液反应，写成Ba2++SO BaSO4↓或H++OH- H2O都是错误的。 看是否可拆成离子。

由粗硅制高纯Si:①___②__

1、又由于①和②可看成向两个方向进行的反应，但反应条件不同，故不属于可逆反应，B错；一个化学反应的一个方向为放热反应，则另一方向必为吸热反应，C错；由平衡移动原理可知，提高SiHCl 3 产率，应***用减压和降温的办法，D错。

2、SiO+2C=Si+2CO↑（反应条件是高温）工业上生产硅是在电弧炉中还原硅石。使用的还原剂为石油焦和木炭等。使用直流电弧炉时，能全部用石油焦代替木炭。石油焦的灰分低，***用质量高的硅石，可直接炼出制造硅钢片用的高质量硅。

3、Si（粗） + 2Cl2 → SiCl4 氯化硅与氢气在高温条件下反应，得到纯净硅：SiCl4 + 2H2 → Si（纯） + 4HCl 以上是硅的工业制法。

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