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太阳能电池三氯氧磷-三瑞太阳能胶体蓄电池

三氯氧磷 10个月前 (06-27) 160

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扩散的原理：太阳能电池一般选用的是P型掺杂的单晶硅片或者是多晶硅片，我们就需要通过扩散在上面形成一个N型的扩散层，从而形成PN结。现在一般***用的都是磷扩散。扩散源是三氯氧磷（pocl3），在900℃的高温下，它与硅片反应，生成二氧化硅和磷。

在切割过程中，硅片会产生表面缺陷，影响表面质量和电池制造过程中的碎片率。因此，需通过碱或酸腐蚀去除切割损伤层，腐蚀厚度约为10微米。制绒：制绒是通过酸或碱腐蚀使硅片表面变得粗糙，形成漫反射，减少直接照射到硅片表面的阳光损失。

（图片来源网络，侵删）

联接之后，脆弱的太阳能电池就需要加上适当的保护层以承受外部的机械应力，气候条件的变化和湿度等。因此人们首先在联接端嵌入透明的粘接材料粘贴，同时也进行绝缘。然后把电池串片夹在前面和背面两层薄片中。前面是对光线敏感面，材料必须是透明的，一般使用超白绒面玻璃，诸如高透光率的太阳玻璃。

太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。以光电效应工作的晶硅太阳能电池为主流，而以光化学效应工作的薄膜电池实施太阳能电池则还处于萌芽阶段。

晶体硅太阳能电池的制造工艺流程如图2。提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。具体的制造工艺技术说明如下：（1）切片：***用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。

（图片来源网络，侵删）

太阳能电池片的生产中，会有强酸强碱，三氯氧磷（有毒），氨气，四氟化碳（有毒），硅烷（易爆）等高危险源。

1、方法一：做普通的扩散，将方阻做到120~150ohm；后去PSG ，再将这些硅片放入炉子中氧化，氧化的温度和时间可以决定表面浓度和结深。

2、主机配有恒流源开关，在测量某些薄层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，更好地保护箔膜。主机配置了“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。

3、方阻与电阻率和结深有关。太阳电池表面浓度越大方阻越小的原因是因为方阻与电阻率和结深有关，方阻＝电阻率/结深。太阳能电池是一个巨大的半导体二极管，以半导体材料为基础进行能量转换。

4、您好，您是想问低电阻率硅片扩散后的表面浓度是怎样吗？低电阻率硅片扩散后的表面浓度是低。不同硅片电阻率对磷扩散的影响研究文章显示，硅片扩散后表面浓度低、结深越小，是扩散后方阻高的原因，这些结果对太阳能电池生产的扩散工艺有一定的指导意义。所以低电阻率硅片扩散后的表面浓度是低。

5、太阳电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后，已经制成PN结，可以在光照下产生电流，为了将产生的电流导出，需要在电池表面上制作正、负两个电极。制造电极的方法很多，而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产工艺。

因为我们用的硅片是P型的，要获得pn结，得掺入n型杂质，POCI3可以提供P原子，掺入施主杂质磷可以获得pn结。

太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。

没影响，就算是三氯氧磷露泄漏了也只是***呼吸道（吸入太多也会致死，只要操作得当是不会泄露的），跟杀精没关系。

传感器出现故障：可以先检查传感器的连接是否牢固，排除连接不良的可能性，如果连接正常就需要更换传感器。在更换传感器之前，先检查传感器周围是否存在腐蚀或污垢，如果有，及时清理。液位计的电源或信号出现了干扰：可以更换电源线或信号线，确保其质量良好。

“扩散炉”顾名思义就是用来扩散的炉子，在晶体硅太阳能电池的生产制造行业中，自然是用于对硅基片的扩散掺杂，制备P-N结结构。至于硅片的热氧化，只不过是扩散掺杂技术工艺的一个中间过程，是为了提高扩散工艺的稳定性和均匀性而设计的。

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